簡要描述:作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。
作為組成半導體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結(jié)勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。
是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器,于測試半導體器件PN結(jié)的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可測試其它電容。
面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),用數(shù)碼管組成的顯示板,將被測元件的數(shù)值,小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率,電容量是四位讀數(shù),可分辮到0.01pF,偏置電壓分辨力為0.1V,漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有CV-2000型測量座,接插元件靈活,方便可靠。
技術(shù)指標 :
測試信號頻率 1.000MHz±0.01%
測試信號電壓小于或等于100mVrms
電容測量范圍 1.00pF~1000pF
工作誤差±3.0%±2字
直流偏壓 zui大100V
供電電源交流電壓:220V±5%;
頻率: 50Hz±5%;
消耗功率:不大于40W;
工作環(huán)境溫度:0—40℃;
濕度:20%~90%RH 40℃;